更新時(shí)間:2024-09-20
原裝RFHIC放大器RTH26008S-30RFHICRFHIC,的射頻和微波元件設(shè)計(jì)、商,擁有從分立器件到集成高功率放大器等廣泛的產(chǎn)品線,采用包括GaN混合方案等技術(shù),并從成本考量為客戶提供方案。 RFHIC與 Cree深 入合作,為市場(chǎng)提供成熟的 GaN技術(shù)、產(chǎn)品。RFHIC通過 ISO9001和 14001認(rèn)證,提供可信、可靠的產(chǎn)品。作為一個(gè)一站式方案提供商,我們可以處理
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原裝RFHIC放大器RTH26008S-30
RFHIC,的射頻和微波元件設(shè)計(jì)、商,擁有從分立器件到集成高功率放大器等廣泛的產(chǎn)品線,采用包括GaN混合方案等技術(shù),并從成本考量為客戶提供方案。 RFHIC與 Cree深 入合作,為市場(chǎng)提供成熟的 GaN技術(shù)、產(chǎn)品。RFHIC通過 ISO9001和 14001認(rèn)證,提供可信、可靠的產(chǎn)品。作為一個(gè)一站式方案提供商,我們可以處理 MMIC、裸片貼裝、引線、封裝,板上芯片、混合電路、表面貼裝、射頻測(cè)試以及全線質(zhì)量控制,并且我們滿足 RoHS及無鉛等標(biāo)準(zhǔn)。 RFHIC 與美 Cree公司簽署了合作協(xié)議,為 RFHIC 的 GaN 功放模塊提供 SiC基 GaN功率管。Cree和 RFHIC同時(shí)達(dá)成了市場(chǎng)合作方案,通過結(jié)合 Cree的晶片生產(chǎn)能力與 RFHIC在封裝、放大集成、裝配和模塊設(shè)計(jì)方面的能力,更深入的推進(jìn) GaN HEMT方案的*。
RFHIC,的射頻和微波元件設(shè)計(jì)、商,擁有從分立器件到集成高功率放大器等廣泛的產(chǎn)品線,采用包括GaN混合方案等技術(shù),并從成本考量為客戶提供方案。 RFHIC與 Cree深 入合作,為市場(chǎng)提供成熟的 GaN技術(shù)、產(chǎn)品。RFHIC通過 ISO9001和 14001認(rèn)證,提供可信、可靠的產(chǎn)品。作為一個(gè)一站式方案提供商,我們可以處理 MMIC、裸片貼裝、引線、封裝,板上芯片、混合電路、表面貼裝、射頻測(cè)試以及全線質(zhì)量控制,并且我們滿足 RoHS及無鉛等標(biāo)準(zhǔn)。 RFHIC 與美 Cree公司簽署了合作協(xié)議,為 RFHIC 的 GaN 功放模塊提供 SiC基 GaN功率管。Cree和 RFHIC同時(shí)達(dá)成了市場(chǎng)合作方案,通過結(jié)合 Cree的晶片生產(chǎn)能力與 RFHIC在封裝、放大集成、裝配和模塊設(shè)計(jì)方面的能力,更深入的推進(jìn) GaN HEMT方案的*。
RFHIC,的射頻和微波元件設(shè)計(jì)、商,擁有從分立器件到集成高功率放大器等廣泛的產(chǎn)品線,采用包括GaN混合方案等技術(shù),并從成本考量為客戶提供方案。 RFHIC與 Cree深 入合作,為市場(chǎng)提供成熟的 GaN技術(shù)、產(chǎn)品。RFHIC通過 ISO9001和 14001認(rèn)證,提供可信、可靠的產(chǎn)品。作為一個(gè)一站式方案提供商,我們可以處理 MMIC、裸片貼裝、引線、封裝,板上芯片、混合電路、表面貼裝、射頻測(cè)試以及全線質(zhì)量控制,并且我們滿足 RoHS及無鉛等標(biāo)準(zhǔn)。 RFHIC 與美 Cree公司簽署了合作協(xié)議,為 RFHIC 的 GaN 功放模塊提供 SiC基 GaN功率管。Cree和 RFHIC同時(shí)達(dá)成了市場(chǎng)合作方案,通過結(jié)合 Cree的晶片生產(chǎn)能力與 RFHIC在封裝、放大集成、裝配和模塊設(shè)計(jì)方面的能力,更深入的推進(jìn) GaN HEMT方案的*。
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